文章编号：1006-8937（2016）24-0105-02
图1、图2、图3三种电路，采用Synopsys EDA仿真工具Hspice、TSMC 0.25 μm CMOS模型仿真，电源电压为2.5 V，扫描-25至125℃温度，得到仿真波形，如图4所示。
图3电路，即图4的vout3，温度系数为3.19ppm/℃。做2.0至3.0 V电源电压扫描，VREF从0.6 464 V变化至0.6 458 V，电源抑制比为55.5 dB。对比仿真波形及参数，图3带曲率补偿的带隙基准参考电压电路，明显改善了温度系数。
6 1.2 V电源电压的带隙基准参考电压电路
对图3电路做0～3.0 V电源电压DC扫描，图3电路在电源电压不低于1.0 V可工作。预留20%电压裕量，我们取1.2 V电源电压。如图5所示。
1.2 V电源电压，-25～125 ℃ 温度扫描，得到温度系数为5.43 ppm/℃。做1.1至1.3 V电源电压扫描，VREF从0.6 249 V变化至0.6 223 V，电源抑制比为33.7 dB。若从低压需求考虑，有一定的可行性。
7 结 语
对图1、图2、图3带隙基准参考电压电路的分析及EDA软件仿真波形对比，图3带曲率补偿可调节的带隙基准参考电压电路，具有良好的温度系数，2.5 V电源电压，温度范围-25～
125 ℃，温度系数为3.19 ppm/℃，电源抑制比为55.5 dBw。图3电路电源电压也可在1.2 ～1.5 V之间，但是温度系数会比较大，而且受电源电压影响较大，稳定性较弱，电源电压抑制比偏小。
参考文献：
[1] P. Malcovati. Curvature-compensated？BiCMOS bandgap with 1-V
supply voltage. IEEE J . Solid-State Circuits. vol.36. pp.1076-1081.
July 2001.
[2] Y. Tsividis. Accurate Analyses of Temperature Effects.IEEE J， Solid
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